BU7485G
BU7485SG
BU7486xxx
BU7486Sxxx
BU7487xx
BU7487Sxx
数据表
功耗
功耗（总损耗）表示该集成电路可以消耗大= 25C （正常温度）的功率。由于IC
消耗的功率，温度升高时，引起其温度比周围温度高。允许的
温度，该集成电路可以接受有限。这取决于电路配置，制造工艺，并
耗功率。
功耗由上述IC内部的容许温度（最大结温）和所确定的
用于封装的热阻（散热功能）。最大结温度通常等于
最高储存温度。透过能量的消耗由集成电路产生的热量从模辐射
树脂或封装的引线框架。热敏电阻，用符号表示的
θjaC / W，
表示该散热
能力。同样的，一个集成电路，其封装内的温度可以通过热电阻进行估计。
图78 （ a）示出封装的热电阻的模型。下面的等式示出了如何计算为
热阻（ θJA ） ，给定的环境温度（Ta ） ，最高结温（TJMAX ）和功率
耗散钯（Pd ） 。
θJA
= （ TJMAX - Ta）的/钯
C
/W
(Ⅰ)
在图78 （b）该降额曲线表示该集成电路可以参照环境温度下消耗的功率。
该集成电路的功耗就开始衰减，在一定的温度下。这种梯度是通过热测定
电阻（ θJA ），这取决于芯片大小，功耗，封装，环境温度，包装条件，
风速等，这也可变化，即使在同一个包中被使用。热还原曲线表示
在规定的条件下测得的参考价值。图79 （三）至（h ）显示了降额曲线的一个例子
BU7485G ， BU7485SG ， BU7486xxx ， BU7486Sxxx ， BU7487xx ， BU7487Sxx 。
LSI的功耗[W]
PD （最大）
θJA
=
（ TJMAX
－
TA ） /钯
C
/ W
环境温度Ta [
C
]
P2
θja2
<θja1
P1
θja1
θja2
TJ（MAX）
芯片表面温Tj [
C
]
功耗PD [ W]
0
25
50
75
100
125
环境温度Ta [ C]
（一）热电阻
（二）降额曲线
图78.热电阻和降额曲线
0.8
0.8
功耗[W]
.
0.6
BU7485G(*19)
功耗[W]
.
0.6
BU7485SG(*19)
0.4
0.4
0.2
0.2
0
0
25
50
75
85
0
100
125
0
25
50
75
105
100
125
环境温度[
℃
]
环境温度[
℃
]
(c)BU7485G
(d)BU7485SG
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