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BR24L □□ -W系列, BR24S □□□ -W系列
“绝对
最大额定值(Ta = 25℃)
参数
外加电压
技术说明
符号
V
CC
容许损耗
Pd
存储温度范围
操作温度范围
端电压
TSTG
TOPR
-
范围
-0.3½+6.5
*1
450 ( SOP8 )
450 ( SOP- J8 )
*2
300 ( SSOP - B8 )
*3
330 ( TSSOP - B8 )
*4
310 ( MSOP8 )
*5
310 ( TSSOP - B8J )
*6
300 ( VSON008X2030 )
*7
-65½+125
-40½+85
-0.3½Vcc+1.0
单位
V
mW
V
当使用在TA = 25 ℃或更高, 4.5MW ( * 1 , * 2 ) ,
3.0MW (* 3 , * 7) 3.3mW (* 4) , 3.1mW (* 5 , * 6)将每1 ℃减压
内存
细胞特性(Ta = 25 ℃ , VCC = 1.8 & frac12 ; 5.5V )
*1
范围
参数
分钟。
典型值。
*2
的数据重写次数
1,000,000
-
*2
数据保持十年
40
-
○出货
数据的所有地址FFH
* 1 BR24L02 / 16/32 -W : 1.7 5.5V
* 2不100 %测试
马克斯。
-
-
单位
岁月
“推荐
工作条件
参数
电源电压
输入电压
* 1 BR24L02 / 16/32 -W : 1.7 5.5V
符号
VCC
V
IN
范围
1.8½5.5
*1
0½Vcc
单位
V
ⅵELECTRICAL
特性(除非另有说明, TA = -40 & frac12 ; + 85 ℃ ,V
CC
=1.8½5.5V)
*1
范围
参数
符号
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
“高”输入电压1
“低”输入电压1
“高”输入电压2
“低”输入电压2
“高”输入电压3
*3
“高”输入电压3
*4
“低”输入电压3
*2
“低”输出电压1
“低”输出电压2
输入漏电流
输出漏电流
电流消耗
行动
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
IH3
V
IH3
V
IL3
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
待机电流
I
SB
0.7Vcc
-0.3
*2
0.8Vcc
-0.3
*2
0.8Vcc
0.9Vcc
-0.3
-
-
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VCC +1.0
*2
0.3 VCC
VCC +1.0
*2
0.2的Vcc
VCC +1.0
VCC +1.0
0.1 VCC
0.4
0.2
1
1
2.0
3.0
*5
*6
条件
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
2.5≦Vcc≦5.5V
2.5≦Vcc≦5.5V
1.8≦Vcc<2.5V
1.8≦Vcc<2.5V
1.7≦Vcc<1.8V
1.7≦Vcc<1.8V
1.7≦Vcc<1.8V
I
OL
= 3.0毫安, 2.5V的Vcc ≦ ≦ 5.5V , ( SDA )
I
OL
= 0.7毫安, ≦ 1.7V的Vcc \u003c 2.5V , ( SDA )
V
IN
=0V½Vcc
V
OUT
= 0V & frac12 ; Vcc时, (SDA)
VCC = 5.5V ,的fSCL = 400kHz的, tWR的= 5毫秒,
字节写入,页写入
Vcc=5.5V,fSCL=400kHz
随机读取,读出电流,连续读取
VCC = 5.5V , SDA ,SCL · = VCC
A0,A1, A2 = GND时, WP = GND
0.5
2.0
○辐射
性的设计不言。
* 1 BR24L02 / 16/32 -W : 1.7 & frac12 ; 5.5V * 2 BR24L16 / 32 -W , * 3 BR24L02 / 16 -W , * 4 BR24L32 -W
* 5 BR24L01A / 02 /04/ 08/16 -W , * 6 BR24L32 / 64 -W
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3/40
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