位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第424页 > BH29MA3WHFV-TR > BH29MA3WHFV-TR PDF资料 > BH29MA3WHFV-TR PDF资料1第7页
BHxxMA3系列
●关于
输入/输出电容器
建议在输入电容器被置于销邻近
之间的VCC引脚和GND和输出电容器
之间的输出引脚与GND 。的输入是有效的，当
电源为高阻抗状态，或当印刷电路板迹线具有
显著的长度。对于输出电容器，更大的
电容，所述更稳定的输出将被视
负载和线路电压的变化。但是，请检查
这个电容通过在电路板安装它的实际功能
对于实际的应用。陶瓷电容通常有
不同，热和等效串联电阻
特性，并可能逐步降低了继续
使用。
有关详细信息，请与制造商，
并选择最佳的陶瓷电容器为您的应用
数据表
陶瓷电容器的容量值 - 直流叠加特性
（例）
10
0
-10
静电容量变化率％
]
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10V的耐压
f特性
4伏耐压
X6S特性
10V的耐压
f特性
10V的耐压
B特性
6.3 -V耐压
B特性
10V的耐压
B1characteristics
GRM188B11A105KA61D
直流偏置电压[ V]
图11.能力偏置特性
Cout=1.0μF,Cin=1.0μF,Temp=+25℃
100
●等效
陶瓷电容器的等效串联电阻（ ESR ）
电容器一般具有的ESR （等效串联电阻）和它
运行稳定，在右边显示的ESR- IOUT区。自
陶瓷电容，钽电容，电解电容等。
通常有不同的ESR ，请检查电容器的ESR ，以
可以使用并在右侧显示的稳定区域范围内使用
曲线图，用于实际应用的评价。
10
血沉[ Ω ]
1
0.1
稳定区
0.01
0
50
100
150
200
250
300
输出电流IOUT [马]
图12.稳定区域（例如）
“权力
耗散（PD）的
至于功耗，热还原特性和IC的内部功耗的估计显示，所以
请使用这些参考。由于功耗大幅变化取决于实施情况
（板的尺寸，板的厚度，金属布线率，层的贯通孔数等）时，建议以测量钯
上的一组板。超过集成电路的功耗可能导致原始集成电路性能的劣化，如
引起热关断电路或缩小的操作电流能力。因此，一定要做好准备
功耗的使用中有足够的余量。
计算IC的最大内部功耗（ PMAX ）
其中：V
IN
=输入电压
V
OUT
=输出电压I
OMAX
：最大输出电流
P
最大
=(V
IN
-V
OUT
)×I
OMAX
0.8
0.7
0.6
PD （W）的
0.68W
ROHM的标准
板
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
*请设计裕度，使
PMAX变得比钯（ PMAX<Pd ）
在使用温度范围内
75 85
TA（ ℃ ）
100
125
图13.HVSOF6功耗发热降低的特性（参考）
www.rohm.com
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ2211115001
7/10
TSZ02201-0RBR0A300170-1-2
25.Sep.2013 Rev.001
