AUIRFR/U8405
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
Ω)
8.0
4.5
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
ID = 90A
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
6.0
4.0
T J = 125°C
2.0
T J = 25°C
0.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ID = 100μA
ID = 250μA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
-75
-25
25
75
125
175
225
VGS ，门-to - 源电压（V ）
T J ，温度（° C）
图16 。
导通电阻比。栅极电压
9
8
7
6
IRRM （ A）
图17 。
阈值电压与温度的关系
120
IF = 36A
V R = 34V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IF = 36A
V R = 34V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
QRR （ NC ）
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
0
0
200
400
600
800
1000
DIF / DT （ A / μs）内
0
200
400
600
800
1000
DIF / DT （ A / μs）内
图。 18
- 典型的恢复电流与迪
f
/ DT
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
200
400
600
800
1000
DIF / DT （ A / μs）内
0
IF = 90A
V R = 34V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
QRR （ NC ）
图。 19
- 典型的存储电荷主场迎战迪
f
/ DT
100
IF = 90A
V R = 34V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
80
IRRM （ A）
60
40
20
0
200
400
600
800
1000
DIF / DT （ A / μs）内
图。 20
- 典型的恢复电流与迪
f
/ DT
6
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2013国际整流器
图。 21
- 典型的存储电荷主场迎战迪
f
/ DT
2013年4月30日
