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ADP3211 ， ADP3211A
电气特性
(V
CC
？ PV
CC
= 5.0 V ， FBRTN = GND =地线= 0 V ， H = 5.0 V，L = 0 V ，V
VID
= V
DAC
= 1.2 V,
T
A
=
40°C
至100℃ ，除非另有说明。 （注1）电流输入引脚（由设备下沉）的符号为正。
参数
高边MOSFET驱动器
上拉电阻，电流采购
下拉电阻，可吸入电流
转换时间
死的延迟时间
BST静态电流
低侧MOSFET驱动器
上拉电阻，电流采购
下拉电阻，可吸入电流
转换时间
传播延迟时间
SW过渡超时
SW关阈值
PV
CC
静态电流
升压整流器开关
导通电阻
EN = L或EN = H和DRVL = H
4
7
11
W
1.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC ）保证。
2.设计或平台特性保证，未经生产测试。
3.时序被引用到90 ％和10％点，除非另有说明。
tr
DRVL ，
tf
DRVL
tPDH时间
DRVL
t
SWTO
V
OFFSW
EN = L（关机）
EN = H ，无开关
C
L
= 3 nF的，图2中
C
L
= 3 nF的，图2中
DRVH = L ， SW = 2.5 V
150
1.8
0.9
15
14
15
250
2.2
14
200
50
3.0
2.7
35
35
30
450
W
ns
ns
ns
V
mA
tr
DRVH ，
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
BST = PV
CC
BST = PV
CC
, C
L
= 3 nF的，图2中
BST = PV
CC
图2
EN = L（关机）
EN = H ，无开关
2.0
1.0
15
13
10
5.0
200
3.3
2.8
35
31
45
15
W
ns
ns
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
tf
DRVL
DRVL
tr
DRVL
tPDH时间
DRVH
tr
DRVH
tf
DRVH
V
TH
DRVH
（相对于SW）的
V
TH
tPDH时间
DRVL
SW
1.0 V
图2.时序图
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