J.英镑。我± .U <z3s.ml ， Conau.ctoi
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ij
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
, U
呐。
电话： （ 973 ） 376-2922
(212)227-6005
传真： （ 973 ） 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SA1909
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
V(
B
R） CEO = -140V （最小值）
HFE的线性度好
补到类型2SC5101
PIN 1.BASE
2.COLLECTOR
3.B/IITTER
1
2
3
TO- 3PML包
应用
专为音频和通用应用
< * >
绝对最大额定值（T
a
=25"C)
符号
参数
价值
单位
;
f
f
VCBO
集电极 - 基极电压
-140
V
VCEO
集电极 - 发射极电压
-140
V
mm
VEBO
发射极 - 基极电压
-6
V
暗淡
MM
A
19.90
Ic
集电极电流连续
-10
A
IB
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25°C
结温
-4
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
PC
80
W
Tj
150
°C
N
Q
R
S
0
Y
Z
T
s
tg
存储温度范围
-55-150
°c
15.90
5.50
0.90
3.30
2.90
5.90
0.59S
22.30
1.90
10.80
4.90
3.75
3.20
9.90
4.70
1.90
最大
20.10
16.10
5.70
1.10
3.50
3.10
6.10
0.605
22.50
2.10
11.00
5.10
3.95
3.40
10.10
4.90
2.10
NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠在即将所述时间
按。然而。 NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
