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IA186EM/IA188EM
8位/ 16位微控制器
数据表
2011年2月25日
2.2.5
ALE-地址锁存使能（同步输出）
此信号表示地址的地址总线上存在（ AD15 - ad0代表IA186EM
或ao15 - AO8和AD7 - AD0为IA188EM ） ，这是保证是在下降沿有效
的ALE 。
2.2.6
ARDY异步就绪（电平敏感的异步输入）
这个异步信号提供了一个指示，即在处理I / O的微控制器
设备或存储器空间将完成的数据传送。此活性高信号是异步的
相对于clkouta并且如果ARDY的下降沿不同步clkouta ，一个
附加的时钟周期，可以添加
ARDY信号应拉高保持就绪状态永久的断言。对
另一方面，如果该ARDY信号不被系统使用，应该连接到低电平，这通
控制到SRDY信号。
2.2.7
bhe_n / aden_n （ IA186EM ）总线高电平使能（与同步输出
三态） /地址使能（输入，带内部上拉）
该bhe_n和地址位是ad0或A0通知系统的哪些字节的数据总线（上部的，下部，
或两者）都参与了当前存储器存取的总线循环所示。表9 。
表9.总线周期类型的bhe_n和AD0
bhe_n
0
0
1
1
ad0
0
1
0
1
总线周期的类型
字传输
高字节传输（位[ 15-8 ] ）
低字节传输（位[ 7-0 ] ）
刷新
该bhe_n不需要锁定，并在总线保持和复位三态。它是断言
在t
1
并通过吨依然如此
3
和T
w
.
在高和低字节写使能bhe_n和AD0的职能由whb_n执行，
wlb_n分别。
当使用
ad
公交车， DRAM刷新周期由bhe_n / aden_n和AD0均为指示
高。在刷新周期
a
和
ad
总线可以不具有在相同的地址
的地址相
ad
总线周期必须利用是ad0作为行列式为刷新
周期，而不是A0 。
一个附加的信号被用于伪静态RAM （ PSRAM ），刷新（见mcs3_n / rfsh_n销
描述）。
上有bhe_n / aden_n弱内部上拉无须外部上拉和
降低功耗。
IA211050831-19
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