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DMN2990UDJ
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
I
D
I
D
I
DM
价值
20
±8
450
350
330
220
800
单位
V
V
mA
mA
mA
新产品
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 1.8V
漏电流脉冲（注6 ）
热特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
350
360
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流@T
c
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
民
20
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
180
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.60
0.75
0.90
1.2
2.0
-
0.6
27.6
4.0
2.8
0.5
0.07
0.07
4.0
3.3
19.0
6.4
最大
-
50
100
±100
1.0
0.99
1.2
1.8
2.4
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
nA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 20mA下
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 1.2V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 250毫安
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10,
I
D
= 200毫安
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
Ω
正向转移导纳
二极管的正向电压（注6 ）
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
mS
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
5.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。
6.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％ 。
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受产品测试。
DMN2990UDJ
文件编号： DS35401启示录7 - 2
2 6
www.diodes.com
2012年9月
Diodes公司
