LM2727 ， LM2737
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
5V
Cb
BOOTV
HG
+
LM27x7
LG
Vo
+
图24. BOOTV由电荷泵提供
在没有单独的，更高电压的系统中，一个电荷泵（自举）可以用一个二极管和小建
电容
图24 。
电容器用于保持顶端FET的栅极和源极之间的电压足够
控制装置即使在顶沟道FET导通且其源已上升到输入电压电平。
该LM2727 / 37栅极驱动采用BiCMOS工艺设计。与其他一些双极性控制IC ，栅极驱动器有
轨至轨摆动，以确保没有虚假由于导通电容耦合。
电源良好信号
电源良好信号是或门控标志表示过电压和欠电压保护。如果输出
电压为18 ％，比它的标称值，V
FB
= 0.7V ，或下降30 ％，低于该值，V
FB
= 0.41V ，电压正常
标志变为低电平。该转换器然后关闭高侧栅极，并开启低侧栅极。不同的是输出
（ LM2727只），电源良好标记将不会被锁存关闭。它会返回到逻辑高，每当反馈引脚
电压为70％和0.6V的118％之间。
UVLO
4.2V的导通阈值的V
CC
有一个内置的0.6V的滞后。因此，若V
CC
低于3.6V时，芯片
进入UVLO模式。 UVLO由关断顶部场效应管，打开底部的FET ，并残留在那的
状态，直到V
CC
高于4.2V 。如同关机，软启动电容通过放电FET ，
确保下一次启动时会顺利。
电流限制
电流限制通过检测低侧FET的电压，同时它是上实现。第r
DSON
FET的是一个
已知的值，因此，通过的电流的FET可以被确定为：
V
DS
= I * R
DSON
(4)
电流限制是通过一个外部电阻，R确定
CS
连接在开关节点和ISEN之间
引脚。 50μA的恒定电流通过RCS强制，造成一个固定的电压降。此固定电压是
相比较V
DS
如果是后者越高，芯片的电流已达到限制。
CS
可以发现
通过使用下面的：
R
CS
= R
DSON
（ LOW ） * I
LIM
/50A
(5)
例如，在一个10A的设计具有最小R A保守15A的电流限制
DSON
为10mΩ的将需要
3.3kΩ的电阻。由于电流检测横跨低端FET进行，不设最低高压侧的导通时间
有必要的。在电流限制模式的LM2727 / 37将转向偏多关闭，保持低侧上的
只要有必要的。该芯片还通过排出一个固定的95μA源的软启动电容。如此，
平滑倾斜向上的输出电压与通常的软启动的保证。的LM2727 / 37的输出
内部误差放大器是通过在软启动电容器上的电压的限制。因此，排出的软启动
电容减小了控制器的最大占空比D 。在严峻的电流限制，本次减持税
循环会降低输出电压，如果电流限制条件持续延长的时间。
在最初的几纳秒的低侧栅极导通之后，低边FET体二极管导通。这
导致V额外的0.7V下降
DS
。 Ⅴ的范围
DS
通常低得多。例如，若R
DSON
为
为10mΩ ，电流通过FET为10A ，V
DS
是0.1V 。电流限制会看到0.7V为70A
目前并立即进入限流。因此，限流期间花费高的时候屏蔽
侧开关关闭和低侧开关打开。
版权所有 2002至13年，德州仪器
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