产品speci fi cation
2SB1115
特点
世界标准小型封装。
低V
CE （ SAT ）
: V
CE （ SAT ）
=在1A -0.2V
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
总功耗
结温
存储温度范围
*脉冲： PW
10毫秒，占空比
50%
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-6
-1
-2
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
基极 - 发射极电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -60 V，I
E
= 0
V
EB
= -6.0 V，I
C
= 0
V
CE
= -2.0 V，I
C
= -100毫安
V
CE
= -2.0 V，I
C
= -1.0A
V
CE （ SAT ）
I
C
= -1.0A ，我
B
= -50毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= -1.0A ，我
B
= -50毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -2.0 V，I
C
= -50毫安
V
CE
= -2.0 V，I
E
= -100毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
-600
80
120
25
135
100
340
200
-0.2
-0.9
-0.3
-1.2
-700
V
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
-100
-100
600
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
h
FE
YM
135 270
YL
200 400
YK
300 600
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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