2N6400系列
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源;或地方
半波硅栅控，需要固态器件。
特点
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玻璃钝化路口中心浇口几何大中华区
参数的一致性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设低热
性，高散热性和耐用性
阻断电压为800 V
这些无铅器件
最大额定值*
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至125℃ ，正弦波50-60
赫兹;门打开）
2N6400
2N6401
2N6402
2N6403
2N6404
2N6405
通态电流有效值（ 180 °传导
角;牛逼
C
= 100°C)
平均通态电流（ 180 °传导
化角度;牛逼
C
= 100°C)
峰值不重复浪涌电流（1/2
周期正弦波60赫兹，T
J
= 25°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 100°C)
正向平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，
T
C
= 100°C)
正向栅极峰值电流（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 100°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
价值
单位
V
50
100
200
400
600
800
16
10
160
145
20
0.5
2.0
40
to
+125
40
to
+150
A
A
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
1
2
3
4
1
2
可控硅
16安培RMS
50通800伏
G
A
K
记号
图
4
TO220AB
CASE 221A
方式3
2N640xG
AYWW
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
3
x
A
Y
WW
G
= 0 ，1，2 ，3，4或5个
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年11月
启示录6
1
出版订单号：
2N6400/D
