ADG725/ADG731
双电源规格
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG725
ADG731
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG725
ADG731
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG725
ADG731
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG725
ADG731
C
D
, C
S
（上）
ADG725
ADG731
电源要求
I
DD
I
SS
1
(V
DD
= +2.5 V
10%, V
SS
= –2.5 V
除非另有说明）。
10 ％ ， GND = 0 V ，
B版本
+25 C
-40°C至+ 85°C
V
SS
到V
DD
4
5.5
6
0.3
0.8
1
±
0.01
±
0.25
±
0.05
±
0.5
±
1
±
0.01
±
0.5
±
1
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
测试条件/评论
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路2
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 2.25 V / -1.25 V ;测试电路4
0.5
±
0.5
±
2.5
±
5
±
2.5
±
5
1.7
0.7
0.005
±
0.5
5
55
75
15
1
–72
–72
V
IN
= V
INL
或V
INH
84
1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 1.5 V/0 V, V
S32
= 0 V/1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路10
34
18
13
130
260
150
300
10
20
10
20
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
REV 。一
