BYM12 - XXX ， EGL41x

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威世通用半导体

70

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

50

正向电流（A ）

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

10

T

J

= 150 °C

60

结电容（pF ）

50

40

30

20

10

0

EGL41A通EGL41D

EGL41F通EGL41G

0.1

1

10

100

1

T

J

= 25 °C

0.1

EGL41A通EGL41D

EGL41F通EGL41G

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

1000

100

100

T

J

= 150 °C

10

T

J

= 100 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

1

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 典型的反向漏电特性

图。 6 - 典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 213AB （ GL41 ）

贴装焊盘布局

可焊ENDS

1

st

BAND

D2 = D1

+ 0

- 0.008 (0.20)

0.138 (3.5)

马克斯。

D2

D1 =

0.105

0.095

(2.67)

(2.41)

0.118 (3.0)

分钟。

0.022 (0.56)

0.018 (0.46)

0.205 (5.2)

0.185 (4.7)

0.022 (0.56)

0.018 (0.46)

0.049 (1.25)

分钟。

0.238 (6.0)

REF 。

1

st

乐队表示类型和正端（阴极）

修订： 19 - 8 - 13

文档编号： 88581

3

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