BDxxHA3WEFJ
数据表
●输入至输出
电容
建议在一个电容器（大于1uF ）置于之间的输入引脚和GND以及输出引脚的引脚邻近
和GND 。一种电容器，输入引脚和GND之间，是有效的，当电源为高阻抗状态或痕迹长。另外，
作为之间的输出引脚与GND ，电容越大，越持久的行规电容
将和电容器将使根据负载特性的改善。但是，请检查
这部分通过在基板安装它的实际应用的实际功能。陶瓷电容器通常有不同的，
热和等效串联电阻的特性，而且电容逐渐在使用中减小。
有关详细信息，请与制造商，并选择最佳的陶瓷电容器为您的应用。
10
0
-10
静电容量变化[ ％ ]
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
1
2
直流偏置电压[ V]
3
额定电压： 10V
f特性
额定电压： 10V
B特性
额定电压： 10V
B1特性
额定电压： 6.3V
B特性
额定电压： 4V
X6S特性
4
陶瓷电容的容量 - 直流偏置特性
（例如特性）
●等效
串联电阻ESR （陶瓷电容等）
为了防止振荡，请附上之间的电容
V
O
和GND 。电容器通常具有ESR（等效
串联电阻） 。操作将是稳定的ESR -I
O
如右图所示范围。陶瓷电容，钽电容和
电解电容有不同的ESR值，因此
请确保您使用的是电容，工作
在右边显示的稳定工作区域。最后，
请评价在实际应用中。
C
O
=1μF
ESR - 我
O
特征
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TSZ22111½15½001
13/19
TSZ02201-0R6R0A600310-1-2
15.Jan.2013 Rev.002
