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汽车级
AUIRFR8401
AUIRFU8401
HEXFET
功率MOSFET
特点
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
DSS
R
DS （ ON） （典型值） 。
40V
3.2m
4.25m
100A
100A
G
S
最大
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这HEXFET
动力
MOSFET的采用了最新的加工技术，以实现低导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是
众所周知，为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在汽车的使用和各种其他应用程序。
应用
Electric
助力转向（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC -DC
变流器
订购信息
基本零件编号
AIRFR8401
套餐类型
D
-
PAK
标准包装
形式
QUANTITY
管
75
磁带和卷轴
2000
磁带和卷轴左
3000
磁带和卷轴权
3000
管
75
D- PAK
AUIRFR8401
G
D
I- PAK
AUIRFU8401
S
门
漏
来源
完整型号
AUIRFR8401
AUIRFR8401TR
AUIRFR8401TRL
AUIRFR8401TRR
AUIRFU8401
AUIRFU8401
I- PAK
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件测定
系统蒸发散。环境温度（TA ）为25℃ ，除非另有说明。
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
马克斯。
100
71
100
400
79
0.53
± 20
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
HEXFET是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
www.irf.com
2013国际整流器
2013年5月6日
