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汽车级
PD -
96398A
特点
l
先进的工艺技术
l
低导通电阻
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
重复性雪崩中允许多达TJMAX
l
无铅,符合RoHS
l
汽车合格*
描述
专为汽车应用,这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术,以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度,快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来,使
这种设计在一个非常有效和可靠的装置,用于使用
汽车应用和各种其他应用程序。
AUIRFR4615
AUIRFU4615
D
HEXFET
功率MOSFET
G
S
V
DSS
R
DS ( ON)
典型值。
马克斯。
I
D
D
D
150V
34m
:
42m
:
33A
S
G
G
D
S
DPAK
AUIRFR4615
G
D
IPAK
AUIRFU4615
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
在绝对最大额定值长时间条件下可能影响器件的可靠性。
热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境
温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS (限热)
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
马克斯。
33
24
140
144
0.96
± 20
109
参见图。 14,15, 22A,22B,
38
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
c
c
d
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
e
c
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
结到环境
j
参数
典型值。
马克斯。
1.045
50
110
单位
° C / W
i
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
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10/04/11