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汽车级
PD - 97792
特点
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AUIRFR4292
AUIRFU4292
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
先进的工艺技术
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
250V
275m
345m
9.3A
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
D
S
G
S
D
G
D- PAK
AUIRFR4292
I- PAK
AUIRFU4292
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
9.3
6.6
40
100
0.67
± 20
130
97
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
g
工作结
h
d
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
300
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.5
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
06/18/12
