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奥斯汀半导体公司
操作
读取模式
一个低逻辑电平信号被施加到CE \\和OE \\销到
读取AS8F512K32的输出。在CE \\是功率控制
和用于设备的选择。
从稳定的写入到有效输出数据的延迟是
地址访问时间（ tAVQA ） 。从CE \\延迟等于逻辑
低而稳定的地址有效输出数据是所述芯片烯
能够访问时间（ tELQV ） 。输出使能访问时间
（ tGLQV ）是从OE \\延时=低逻辑来有效的输出数据，
当CE \\ =低逻辑和地址是稳定至少tAVQA-
tGLQV 。
待机模式
ICC电源电流减小对应用高逻辑
在CE \\进入待机模式。在待机状态下，所述
输出被置于高阻抗状态。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该设备将继续吸引有功电流，直到操作
就完成了。
输出禁用
OE \\ = VIL或CE \\ = VIH ，从设备输出禁用
和输出引脚（ DQ0 - DQ7 ）被放置在高阻抗
ANCE状态。
擦除和编程
擦除和AS8F512K32的编程是accom-
通过写入使用标准命令序列plished
微处理器写时序。该命令被写入到
命令寄存器和输入到命令状态机。
命令状态机解释输入的命令
并启动程序，删除，暂停和恢复运营
作为指示。命令状态机充当接口
写状态机和外部芯片的操作之间的脸
系统蒸发散。写状态机控制所有电压产生，
脉冲产生，预处理CON组和验证
内存的帐篷。程序和块/芯片擦除功能
完全自动的。一旦一个程序的结束或擦除操作
化已达到，该装置内部复位到读
模式。如果Vcc的下降到低于低电压检测电平（ VLKO ）
中的任何操作中止，设备重置
读取模式。如果一个字节的程序或芯片擦除操作是在
进步，更多的编程/擦除操作被忽略非
直到操作完成。
命令德网络nitions
操作模式是通过编写特定的地址选择
和数据序列到命令寄存器
命令硒
quence表
。该装置将复位，如果一个新断路器阅读模式
矩形地址和数据值，或者将它们写在不正确
AS8F512K32
修订版4.0 6/01
AS8F512K32
序列蒸腾。命令寄存器不填充
可寻址的存储器位置。寄存器用于存储所述
指令序列，随着地址和数据需要的
由存储器阵列。命令写入通过设置CE \\ = VIL
和OE \\ = VIH ，把我们从逻辑高到逻辑低\\ 。 AD-
衣服被锁止在下降沿WE \\和数据
锁存上升沿WE \\ 。拿着WE \\ = VIL和
切换CE \\可作为一种替代方法。
读/复位命令
读/复位模式通过写入任一激活
两个读/复位命令寄存器。该装置保持在这个
模式，直到其他有效的命令序列中的一个被输入
入命令寄存器。存储的数据可以读出与标
在读取模式准微处理器读周期时序。
上电时，该设备将默认为读/复位模式。
读/复位命令序列，如果不要求记忆
数据是可用的。
算法选择命令
该算法选择命令允许访问的二进制
该设备具有适当的编程匹配代码 -
和擦除命令的操作。写三巴后
循环指令序列，该算法- selec-的第一个字节
化代码（ 01 ）可以从地址XX00读取。第二个
代码（ A4 ）的字节可以从地址XX01读取。这
模式将一直有效，直到另一个有效的命令序列
被写入到设备。
字节编程命令
字节编程是一个四总线周期的命令序列。
前三个总线周期将设备插入到编程
设置状态。第四总线周期加载地址位置
和数据要被编程到器件中。地址
被锁存的下降沿的WE \\和数据被锁存
在WE的上升沿\\在第四个周期。上升沿
我们的\\启动字节的程序操作。嵌入式
字节编程功能自动提供所需的
电压和时序进行编程和验证电池余量。任何
在节目期间写入设备的进一步的命令
操作将被忽略。
编程可以在任何地址位置被预先
任何顺序。当擦除，所有位都在逻辑状态1逻辑0
被编程到器件中。试图程序逻辑1
成位先前已设定为逻辑0的原因
内部脉冲计数器超过脉冲计数限制。这
设置超过了时序限制指示（ DQ5 ）到逻辑高状态。
只有擦除操作可以从逻辑0改变位为逻辑1 。
该装置的自动编程过程中的状态
明的操作可以使用完成被监控
数据查询功能，或切换位功能。请参阅“操作
化状态“的完整描述。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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