K9T1G08U0M
产品介绍
FL灰内存
初步
该K9T1G08U0M是由528列组织为262,144行（页）一1,056Mbits （ 1107296256位）内存。备件16
列位于从512到527阿528字节的数据寄存器被连接到存储器单元阵列accommodat-列地址
荷兰国际集团在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。存储器阵列由
的被串联连接以形成NAND结构16细胞。每16个单元的驻留在不同的页面。块由
32页形成了两个NAND结构。 NAND结构由16个细胞。共有8448 NAND结构驻留在一个块中。该
阵列的组织示于图2中的程序和读出操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作是
以块为基础执行。存储阵列由8192分别可擦除16K字节的块。它表示的点点滴滴
禁止在K9T1G08U0M擦除操作。
该K9T1G08U0M具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。在128M字节的物理空间要求
27个地址，因此需要四个周期的字节级寻址：列地址的1个周期，行地址的3个周期，在这
顺序。页面读取和页编程需要以下所需的指令输入四个相同的地址周期。在块擦除操作
ATION ，但是，行地址的仅3个周期被使用。设备操作都通过写入特定的指令到选定的COM
命令寄存器。表1定义了K9T1G08U0M的特定命令。
该设备可同时提供编程/擦除能力高达4页/块。通过将存储器阵列分为四个的256Mbit
分开的平面，同时多面操作显着地增加由4X编程/擦除性能，同时仍保持
传统的512字节结构。扩展的合格/不合格的多平面程序状态/擦除允许系统软件快速
找出失败的页面/块了选择多个页面/块。多面操作的使用将进一步描述的吞吐量
这份文件。
除了增强的架构和接口，该器件集成了复制回程序功能，从一个网页到另一个
的，而不需要将数据传输到和从外部缓冲存储器的同一平面上。由于耗时的突发
读出和数据输入周期被除去，固态磁盘的应用系统的性能显著增加。
该装置包括一个块大小的OTP（一次性可编程），它可用来提高系统的安全性，或提供
识别能力。详细信息可以通过与三星接触得到。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程（真）
(2)
网页程序（虚拟）
(2)
复制回收计划（真）
(2)
复制回收计划（虚拟）
(2)
块擦除
多面块擦除
阅读状态
阅读多平面状态
第1'循环
00h/01h
(1)
50h
90h/91h
FFH
80h
80h
00h
03h
60h
60h----60h
70h
71h
(3)
2’nd
周期
-
-
-
-
10h
11h
8Ah
8Ah
D0h
D0h
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3'rd周期
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10h
11h
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4'th周期
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5'th周期
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O
O
O
接受命令
在繁忙
记
1. 00H / 01H命令定义开始登记的第一/第二一半的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针自动移动到上半场寄存器（ 00H ）
在下一周期。
2.页面编程（真），并复制回计划（真）可在1飞机的操作。
网页程序（虚拟），并复制回计划（虚拟）都可以在第二，第三，第四多平面操作的平面。
3.部71h命令应该用于多面操作的读状态。
小心
：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。
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