TN2010T
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
10.000
源极 - 漏极二极管正向电压
12.0
11.5
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
1.000
T
J
= 150_C
0.100
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
11.0
10.5
r
DS
@ I
D
= 100米的
10.0
r
DS
@ I
D
= 50μm的
9.5
9
0.010
T
J
= 25_C
0.001
0.30
0.45
0.60
0.75
0.90
1.05
1.20
3
5
7
9
11
13
15
17
19
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–75 –50 –25
阈值电压
I
D
= 250
mA
0
25
50
75
100 125 150
T
J
- 温度（ _C ）
4
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
