512MB无缓冲SODIMM （基于sTSOP ）
基于256Mb的电子芯片200PIN SODIMM无缓冲（ X8 ）
订购信息
产品型号
M470L6423EN0-C(L)B3/A2/B0
密度
512MB
组织
64M ×64
DDR SDRAM
部件组成
32Mx8 （ K4H560838E ） * 16EA
高度
1,250mil
工作频率
B3(DDR333@CL=2.5)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
CL- tRCD的-TRP
133MHz
166MHz
2.5-3-3
A2(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
2.5-3-3
特征
电源： VDD： 2.5V
±
0.2V ， VDDQ ： 2.5V
±
0.2V
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通（ DQS ）
差分时钟输入（ CK和CK ）
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
可编程只读延迟2 ， 2.5 （时钟）
可编程突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动&自我刷新， 7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：高度1250 （ MIL ） ，双（ 512MB ）双面
SSTL_2接口
54pin sTSOP （Ⅱ） -300包
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
修订版1.3日。 2004年
