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P16E.pdf
Jul.15,2011
应用电路利用率
s
PD78F9222MC-5A4
（瑞萨）
8位微
V
dd
=5.0V
V'
dd
=7.0V
V
cc
=5.0V
s
M30260F8AGP （瑞萨）
16位微机
10k
2
H
7
IC ： M30260F8AGP （高* ）
L
23
用CERALOCKr
H: 5, 20
L: 1
用CERALOCKr ： CSTCR6M00G55B -R0
C
1
= 39pF （典型值）。
C
2
= 39pF （典型值）。
24
L
H: 11, 46, 47, 48
L: 4, 9, 44
*高： XIN - XOUT驱动器容量选择位
V
1
C
1
C
2
V
2
用CERALOCKr ： CSTCE10M0G55A -R0
C
1
= 33pF的（典型值）。
C
2
= 33pF的（典型值）。
H
6
IC ：
PD78F9222MC-5A4
2
用CERALOCKr
3
8
V
1
C
1
C
2
V
2
s
MB90F347D （富士通）
16位微机
V
cc
=5.0V
s
MC68HC908AZ60AVFU （飞思卡尔）
8位微
V
dd
=5.0V
H
IC ： MB90F347D
评估板
IC ： MC68HC908AZ60AVFU
L
59
1M
用CERALOCKr
V
1
用CERALOCKr ： CSTCE8M00G55A -R0
C
1
= 33pF的（典型值）。
C
2
= 33pF的（典型值）。
C
1
C
2
V
2
用CERALOCKr ： CSTCE16M0V53C -R0
C
1
= 15pF的（典型值）。
C
2
= 15pF的（典型值）。
58
GND
93
用CERALOCKr
92
H: 15, 32, 65, 90
L: 16, 35, 44, 66, 91
V
1
C
1
C
2
V
2
s
ST72F324J6T3 （ MS ） （意法半导体）
8位微
V
dd
=5.0V
s
PIC12F675 -I / P（ HS ） （微芯）
8位微
V
dd
=5.0V
H
集成电路： ST72F324J6T3 （MS）的
H
IC ： PIC12F675 -I / P（ HS ）
42
用CERALOCKr
41
L
2
1M
用CERALOCKr
V
1
用CERALOCKr ： CSTCR4M00G55B -R0
C
1
= 39pF （典型值）。
C
2
= 39pF （典型值）。
C
1
C
2
3
L
H: 13, 21, 32, 43
L: 14, 22, 33, 39, 40
V
1
C
1
C
2
V
2
H: 1
L: 4, 8
V
2
用CERALOCKr ： CSTCE8M00G52A -R0
C
1
= 10pF的（ TYP 。 ）
C
2
= 10pF的（ TYP 。 ）
11
