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A1250
霍尔效应锁存器/双极开关
功率降额
该设备必须低于最高结操作
设备，则T的温度
J
（最大值）。在某些组合
峰的条件系统蒸发散，可靠的操作可能需要降额
供给电力或改善的散热性
该应用程序。本节介绍了相关的程序
影响操作时间的因素
J
。 （热数据也可在
快板Microsystems网站。 ）
封装热阻，R
θJA
，是品质因数sum-
marizing应用程序的能力和在设备消散
热量从结（模具） ，通过所有的路径到环境空气中。
它的主要成分是有效的导热系数，
在印刷电路板，其中包括相邻器件的K和
痕迹。从通过该装置的情况下，R的模辐射
θJC
，是
的R较小的分量
θJA
。周围空气温度，
T
A
和空气的运动是显着的外部因素，通过阻尼
包覆成型。
不同功率水平的影响（耗散功率，P
D
） ，可以
进行估计。以下式表示的基本
关系来估计
J
在P
D
.
P
D
= V
IN
×
I
IN
T
= P
D
×
R
θJA
T
J
= T
A
+
ΔT
例如，给定的通用条件如：T
A
= 25°C,
V
IN
= 12 V，I
IN
= 4毫安，而R
θJA
= 140℃ / W ，则：
P
D
= V
IN
×
I
IN
= 12 V
×
4毫安= 48毫瓦
T
= P
D
×
R
θJA
= 48毫瓦
×
140 ° C / W = 7°C
T
J
= T
A
+
T
= 25°C + 7°C = 32°C
最坏的情况估计，P
D
（最大） ，代表了最大允许
能功率水平，在不超过牛逼
J
（最大值） ，在一个选择的R
θJA
和T
A
.
(1)
(2)
(3)
例如：
可靠性V
CC
在T
A
= 150℃，封装UA ，使用
单层PCB 。
观察该设备，具体来说最坏情况下的评级：
R
θJA
= 165 ° C / W ，T
J
（最大值）= 165℃ ，V
CC
（最大值） = 24伏，并且
I
CC
（最大值） = 4毫安。
计算允许的最大功率电平，P
D
（最大值）。首先，
翻转式3 ：
T
最大
= T
J
（最大值） - T的
A
= 165 °C – 150 °C = 15 °C
这提供了允许增加至T
J
从内部产生
功耗。然后，倒置式（2） ：
P
D
（最大值） -
T
最大
÷ R
θJA
= 15 ° 165 ° C / W = 91毫瓦
最后，反转方程式1相对于电压：
V
CC
（美国东部时间） = P
D
（最大值） =我
CC
（最大值）= 91毫瓦÷ 4毫安= 23 V
结果表明，在T
A
时，应用程序和设备能
消散在电压足够的热量
≤V
CC
（美东时间） 。
比较V
CC
（ EST ）与V
CC
（最大值）。如果V
CC
（美东时间）
≤
V
CC
（最大值） ，然后
V之间的可靠运行
CC
（ EST ）和V
CC
（最大值）要求
增强
θJA
。如果V
CC
（美东时间）
≥
V
CC
（最大） ，则操作
V之间
CC
（ EST ）和V
CC
（max）是根据这些条件可靠
系统蒸发散。
器Allegro MicroSystems ， LLC
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
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