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CSD18532NQ5B
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SLPS440 - 2013年6月
60 -V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD18532NQ5B
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
60
49
7.9
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
2.8
3.5
2.7
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
应用
DC- DC转换器
次级侧同步整流器
隔离式转换器初级侧开关
电机控制
订购信息
设备
CSD18532NQ5B
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流，T
A
= 25°C
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 85A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
(2)
价值
60
±20
100
163
22
135
3.2
-55到150
360
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
A
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
A
W
°C
mJ
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0093-01
（ 1 ）典型
θJA
= 40 ℃/上1英寸W
2
， 2盎司在0.06- Cu焊盘
英寸厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
R
DS （ ON）
VS V
GS
T
C
= 25 ℃， n = 25A
T
C
= 125℃ n = 25A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
I
D
= 25A
V
DS
= 30V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
40
45
50
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
