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模拟电源
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
DPAK节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM20P06-135D
亲
DUCT总和
M RY
V (V
)
r
DS （ ON）
m
()
DS
135 @ V
S
= -10V
G
-60
190 @ V
S
= -4.5V
G
I
D
(A
)
16
14
绝对最大
IMUM评级（T
A
= 25℃ ，除非OTHERW
S
ISE说明）
符号
BOL马克西姆
嗯单位
PARAM
ETER
漏源电压
-60
V
DS
V
G
吃源电压
±20
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
A
= 25 C I
D
o
16
±40
-15
50
I
DM
I
S
o
T
A
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流（二极管传导）
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
1
初步
出版订单号：
DS-AM20P06-135_A
