模拟电源
AM7330N
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
主要特点：
低R
DS （ ON）
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用：
白光LED升压转换器
- 汽车系统
工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS （ ON）
(mΩ)
V
DS
(V)
22 @ V
GS
= 10V
30
30 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
11
9
DFN3x3-8L
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
T
A
=25°C
11
I
D
连续漏电流
a
T
A
=70°C
8
b
I
DM
漏电流脉冲
40
a
I
S
4.5
连续源电流（二极管传导）
T
A
=25°C
3.5
P
D
功耗
a
T
A
=70°C
2
T
J
, T
英镑
-55到150
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
最大结点到环境
a
热电阻额定值
参数
吨< = 10秒
稳定状态
符号最大
35
R
θJA
81
单位
° C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号：
DS_AM7330N_1A
