模拟电源
AM4512CE
典型电气特性（ P沟道）
30
VGS = -10V
-6.0V
-5.0V
15
VDS = -5V
TA = -55℃
o
25 C
o
-ID ，漏极电流（ A）
-ID ，漏极电流（ A）
12
125 C
o
20
-4.0V
10
9
6
3
0
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-VDS ，漏源极电压（ V）
-VGS ，门源电压（ V）
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
800
700
电容（pF）
600
500
400
300
200
100
CRSS
科斯
西塞
F = 1 MHz的
VGS = 0 V
RDS （ ON ） ，归一化
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
-4.5V
-6.0V
1.4
1.2
-10V
1
0.8
0
6
12
18
24
30
-ID ，漏极电流（ A）
0
0
5
10
15
20
25
30
-VDS ，漏源极电压（ V）
图3.电阻与栅极电压的电压
10
-VGS ，栅源电压（V ）
ID = -5.7A
8
图4.电容特性
1.6
1.4
VGS = 10V
ID = 5.7A
归一化的RDS（on ）
-15V
6
1.2
1.0
0.8
0.6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
QG ，栅极电荷（ NC）
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ Juncation温度（℃ ）
图6.导通电阻随温度的变化
图5.栅极电荷特性
5
初步
出版订单号：
DS-AM4512CE_A
