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SUD50N024-09P
Vishay Siliconix公司
N通道22 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
24
c
特点
I
D
(A)
d
49
36
D
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
高端同步降压型DC / DC
转变
的DeskTop
服务器
TO-252
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
S
订购信息： SUD50N024-09P
SUD50N024-09P -E3 （无铅）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压脉冲
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
雪崩电流，单脉冲
雪崩能量，单脉冲
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS （脉冲）
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
24
C
22
"20
49d
34
d
100
4.3
29
42
6.5
a
39.5
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
19
40
3.1
最大
23
50
3.8
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
B 。通过包装有限
。脉冲方式：T
A
= 105_C ， 50纳秒， 300 kHz的工作频率
。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为25 A.
文档编号： 72290
S- 41168 -REV 。 B， 14军， 04
www.vishay.com
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