模拟电源
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度的过程。低
r
DS （ ON）
保证最小的功率损耗和
节能，使该器件理想
在电源管理电路使用。
典型的应用是DC- DC
转换器，电源管理的便携式
和电池供电的产品如
计算机，打印机，PCMCIA卡，
蜂窝和无绳电话。
低R
DS （ ON）
提供更高的效率
并延长电池寿命
微型TSOP - 6表面贴装封装
节省电路板空间
AM3962N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.153 @ V
GS
= 10V
60
0.185 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
2.3
2.1
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
a
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
o
极限
60
±20
2.3
1.9
8
1.05
1.15
0.7
单位
V
A
A
W
o
T
A
=25
o
C
T
A
=70 C
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
-55到150
C
符号
R
θJA
最大
100
166
单位
o
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
2005年5月 - 版本A
初步
出版订单号：
DS-AM3962_A
