ADG774
单电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（R
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
失真
电荷注入
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
I
IN
I
O
笔记
1
温度范围： B版本， -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
DD
= 3 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
1
-40℃至-40℃到
+85 C
+125 C
+25 C
单位
测试条件/评论
4
8
0.15
0.5
2
4
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
0 V至V
DD
V
典型值
9
最大
0.5
4
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
％ （典型值）
pC的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
D
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
±
1
±
1
±
1
±
1.5
±
1.5
±
1.5
2.0
0.8
V
D
= 3 V, V
S
= 1 V; V
D
= 1 V, V
S
= 3 V;
测试电路2
V
D
= 3 V, V
S
= 1 V; V
D
= 1 V, V
S
= 3 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 3 V; V
D
= V
S
= 1V ;测试电路3
0.001
±
0.5
8
16
5
10
5
1
–65
–75
240
2
3
10
20
30
V
IN
= V
INL
或V
INH
21
11
R
L
= 100
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= + 1.5V ;测试电路4
R
L
= 100
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= + 1.5V ;测试电路4
R
L
= 100
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路5
R
L
= 50
,
F = 10MHz的;测试电路7
R
L
= 50
,
F = 10MHz的;测试电路8
R
L
= 50
;
测试电路6
R
L
= 50
C
L
= 1 nF的;测试电路9
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或V
DD
V
IN
= +3 V
V
S
/V
D
= 0 V
1
1
100
1
1
A
最大
A
典型值
A
典型值
最大mA
表一，表真相
EN
1
0
0
版本C
IN
X
0
1
D1
高阻
S1A
S1B
D2
高阻
S2A
S2B
D3
高阻
S3A
S3B
–3–
D4
高阻
S4A
S4B
功能
关闭
IN = 0
IN = 1
