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AP18N20GS/P-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
200V
170mΩ
18A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 220封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP18N20GS ）
可用于小尺寸应用。
G
D
S
G
D
S
TO-220(P)
TO-263(S)
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
200
+20
18
9.5
60
89
0.7
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
1.4
40
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1
201001113
最大热阻，结到环境
数据&规格如有变更，恕不另行通知
