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AP80T10GP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
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简单的驱动要求
▼
低导通电阻
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快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
100V
9.5m
85A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业工业
功率应用和适合于低电压的应用，如
DC / DC转换器。
G
D
TO-220(P)
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（片）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
3
等级
100
+20
85
80
60
300
166
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
0.9
62
单位
℃/W
℃/W
1
200912071
数据和规格如有变更，恕不另行通知
