AP75N07GW
14
f=1.0MHz
10000
I
D
=40A
12
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
10
8
C（ pF）的
V
DS
= 4 0 V
V
DS
= 48 V
V
DS
= 60 V
1000
6
C
OSS
C
RSS
4
2
0
0
40
80
120
160
200
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
DUTY=0.5
100
I
D
(A)
100us
0.2
1ms
10
0.1
0.1
0.05
10ms
T
C
=25
o
C
单脉冲
100ms
DC
P
DM
t
0.02
T
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
160
V
DS
=5V
T
j
=25 C
o
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
120
80
Q
GS
Q
GD
40
收费
0
0
2
4
6
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4
