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AP15P15GM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
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低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
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符合RoHS &无卤
SO-8
S
S
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
S
G
-140V
180m
-2.7A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装,广泛首选商业,工业表面
安装的应用程序,并适用于低电压应用,如直流/直流
转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
-140
+20
-2.7
-2.1
-20
2.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
50
单位
℃/W
1
200911041
数据和规格如有变更,恕不另行通知