位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1338页 > AP09N20BGP-HF > AP09N20BGP-HF PDF资料 > AP09N20BGP-HF PDF资料1第4页
AP09N20BGP-HF
10
1000
f=1.0MHz
I
D
=5A
V
DS
=160V
V
GS
，门源电压（ V）
8
800
4
C（ pF）的
6
600
C
国际空间站
400
2
200
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
100us
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
1ms
1
P
DM
0.02
T
c
=25
o
C
单脉冲
0
0.1
1
10
100
10ms
100ms
1s
DC
1000
t
T
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
