位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1084页 > AP03N70I-A-HF > AP03N70I-A-HF PDF资料 > AP03N70I-A-HF PDF资料1第4页
AP03N70I-A-HF
14
10000
f=1.0MHz
12
I
D
=3A
V
DS
=480V
V
GS
，门源电压（ V）
10
C
国际空间站
C（ pF）的
8
100
6
C
OSS
4
2
C
RSS
1
0
0
4
8
12
16
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
1
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0
T
c
=25
o
C
单脉冲
0
1
10
100
单脉冲
0.01
1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
