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AP9430GYT-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
小尺寸&放低姿态
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D
30V
4.5mΩ
23A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通
性和成本效益。
该PMPAK
3×3的封装是特别用于DC- DC转换器
应用程序和更低1.0毫米信息与背面的散热片。
S
S
S
D
D
D
G
PMPAK
3 x 3
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
+20
23
18.4
80
3.57
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
3
价值
4
35
单位
℃/W
℃/W
1
201205252
数据和规格如有变更，恕不另行通知
