AP4509GM-HF
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
-
-
-
14
-
-
-
23
6
14
14
10
36
17
430
350
-
14
20
3
-
10
100
+100
65
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V, V
GS
=0V
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=9A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
1770 2830
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
31
25
1.2
-
-
V
ns
nC
2
