晶体管具有内置电阻
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电阻UNR921CJ
Rasistance UNR921MJ
比
UNR921NJ
UNR9218J/9219J
UNR9214J
UNR921TJ
UNR921FJ
UNR921AJ/921VJ
UNR9211J/9212J/9213J/921LJ
UNR921KJ
UNR921EJ
UNR921DJ
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.08
0.17
符号
R
2
R
1
/R
2
条件
民
UNR921xJ系列
典型值
47
0.047
0.1
0.10
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
最大
+30%
单位
k
30%
0.12
0.25
0.57
1.2
2.60
2.60
5.7
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
150
总功耗P
T
（ mW）的
125
100
75
50
25
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR9210J的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
10
2
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
（MA ）
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
10
1
25°C
10
2
10
1
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
0
1
10
10
2
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00039BED
3
