飞利浦半导体
PSMN004-36P/36B
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
03ag42
120
ID
(%)
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
03ag44
ID
(A)
102
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
100美
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08621
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产品数据
版本01 - 2001年11月19日
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