位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第329页 > DIM600DDS12-A000 > DIM600DDS12-A000 PDF资料 > DIM600DDS12-A000 PDF资料1第1页

3
DIM600DDS12-A000
替换DS5868-1.0
11.5
±0.2
双路开关IGBT模块
2009 DS5868-2月( LN26745 )
特点
±0.2
6
10s
18
±0.2
短路耐受
高的热循环能力
44
±0.2
非穿通硅
57
±0.2
孤立的铜底座与Al
2
O
3
基板
无铅建设
6 x
O7
主要参数
V
CES
V
CE ( SAT )
* (典型值)
I
C
(最大)
I
C( PK )
(最大)
14
±0.2
28
±0.5
1200V
2.2 V
旋入深度
600A
8
最大
1200A
*测量在电源母线,而不是辅助端子
55.2
± 0.3
11.85
±0.2
应用
高可靠性逆变器
电机控制器
1(E)
5
(E)
6
(G)
2(C)
12
(C)
11
(G)
高功率模块的电力线范围包括
半桥,菜刀,双,单,双向
交换机配置涵盖电压从600V到
3300V及电流高达2400A 。
该DIM600DDS12 - A000是一款双开关1200V ,正
沟道增强模式中,绝缘栅双极型
晶体管(IGBT)模块。在IGBT具有宽
反向偏压安全工作区( RBSOA )加10μs的
短路耐受。该器件经过优化
牵引传动及要求高的其他应用程序
热循环能力。
该模块集成了电气隔离基地
板和低电感建设使能电路
设计人员优化电路布局和利用
接地散热片的安全性
.
7
(C)
3(C)
4(E)
10
(E)
图。 1电路结构
订购信息
订单号:
DIM600DDS12-A000
注:订货时,请使用完整的零件
数
外形类型代码:D
(有关更多信息,图11 )
图。 2包
注意事项:
该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
1
/
8
www.dynexsemi.com