电气特性
(@TA=25
O
C除非另有说明）
Chatacteristic
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ） （IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -0.1mAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = -0.1mAdc ， IC = 0 ）
底座截止电流（ V CE = -35Vdc ，V BE （关闭） = -0.4Vdc ）
集电极截止电流（ V CE = -35Vdc ，V EB = -0.4Vdc ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBEV
ICEX
-40
-40
-5.0
-
-
-
-
-
-0.1
-0.1
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益（ I C = -0.1mAdc ， V CE = -1.0Vdc ）
（ I C = -1.0mAdc ， V CE = -1.0Vdc ）
（ I C = -10mAdc ， V CE = -1.0Vdc ）
（ I C = -150mAdc ， V CE = -2.0Vdc ）
（ I C = -500mAdc ， V CE = -2.0Vdc ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ） （IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）
（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）
基射极饱和电压（ 1 ） （IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）
（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）
VCE （ SAT ）
的hFE
30
60
100
100
20
-
-
-0.75
-
-
-
-
300
-
-0.4
-0.75
-0.95
-1.3
VDC
-
VBE （ SAT ）
VDC
小信号特性
电流增益带宽积（ IC = -20mAdc ， V CE = -10VDC中，f = 100MHz时）
输出电容（V CB = -10VDC ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入电容（V EB = -0.5Vdc ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入lmpedance （ V CE = -10VDC ， IC = -1.0mAdc ， F = 1.0kHz ）
电压反馈比（V CE = -10VDC ， IC = -1.0mAdc ， F = 1.0kHz ）
小信号电流增益（ V CE = -10VDC ， IC = -1.0mAdc ， F = 1.0kHz ）
输出导纳（ V CE = -10VDC ， IC = -1.0mAdc ， F = 1.0kHz ）
fT
建行
CEB
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
200
-
-
1.5
0.1
60
1.0
-
8.5
30
15
8.0
500
100
兆赫
pF
pF
千欧
X 10 -
4
-
umhos
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ V CC = -30Vdc ，V EB = -2.0Vdc ， IC = -150mAdc ，我B1 = -15mAdc ）
td
tr
ts
tf
-
-
-
-
15
20
225
30
ns
ns
（ V CC = -30Vdc ， IC = -150mAdc ，我B1 = I B2 = -15mAdc ）
＆ LT ;
＆ LT ;
注：脉冲测试：脉冲宽度- 300毫秒，占空比- 2.0 ％
