AOW11S65/AOWF11S65
650V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOW11S65 & AOWF11S65已制作
采用先进的
αMOS
TM
高压过程，是
旨在提供高水平的性能和
稳健的开关应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
750V
45A
0.399
13.2nC
2.9J
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO-262
顶视图
底部视图
顶视图
TO-262F
D
底部视图
G
G
D
S
S
D
G
G
D
S
S
D
G
S
AOW11S65
AOWF11S65
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOW11S65
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOWF11S65
650
±30
11*
8*
45
2
60
120
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
AOW11S65
65
0.5
0.63
198
1.6
11
8
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
28
0.22
100
20
-55到150
300
AOWF11S65
65
--
4.5
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
REV0 ： 2011年12月
www.aosmd.com
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