AON7506
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=12A
8
600
6
电容（pF）
V
GS
（伏）
C
国际空间站
800
400
C
OSS
200
4
2
C
RSS
0
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
0
0
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
10
0
100.0
150
10s
R
DS （ ON）
有限
10s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
10.0
I
D
（安培）
100s
1ms
100ms
功率（W）的
100
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.1
DC
50
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=6°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
REV0 ： 2012年7月
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