EDJ2108EEBG ， EDJ2116EEBG
1.3
建议的直流工作条件
表3 ：建议的直流工作条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ） ， DDR3L操作
参数
电源电压
电源电压DQ
注：1 。
2.
3.
4.
5.
符号
VDD
VDDQ
分钟。
1.283
1.283
典型值。
1.35
1.35
马克斯。
1.45
1.45
单位
V
V
笔记
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
最大直流电流值可能不大于1.425V 。该直流值是由VDD / VDDQ （t）的在非常线性平均
的时间长的期间（例如1秒） 。
如果上限被超过，输入电平由DDR3规格的管辖。
在这样的电源电压，该器件工作于这个DDR3L specifcation 。
一旦对DDR3L初始化操作，仅可用于DDR3操作，如果设备处于复位状态
VDD和VDDQ改变为显示为下面的时序波形DDR3运行。
表4 ：建议的直流工作条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ） ， DDR3运行
参数
电源电压
电源电压DQ
注：1 。
2.
3.
符号
VDD
VDDQ
民
1.425
1.425
典型值
1.5
1.5
最大
1.575
1.575
单位
V
V
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
如果最低限额被超过，输入电平由DDR3L规格的管辖。
下1.5V的操作，这DDR3L装置进行操作以根据同一speedtimings DDR3的SPECIFCATIONS所限定
此设备。
曾经为DDR3初始化操作，仅可用于DDR3L操作，如果设备处于复位状态VDD和VDDQ
被改变为如下所示DDR3L操作。
Ta
Tb
Tc
Td
Te
Tf
Tg
Th
Ti
Tj
Tk
CK ， / CK
tCKSRX
VDD和VDDQ （ DDR3 ）
VDD和VDDQ （ DDR3L ）
T（分钟） = 10ns的
T（分钟） = 10ns的
T（分钟） =为200ps
T = 500μs的
/ RESET
CKE
T（分钟） = 10ns的
TIS
有效
tDLLK
TIS
TXPR
太太
超过tMRD
太太
超过tMRD
太太
超过tMRD
太太
TMOD
ZQCL
tZQinit
*1
有效
命令
BA
*1
MR2
TIS
MR3
MR1
MR0
有效
TIS
在静态情况下，低RTT_Nore在时间允许的Tg ，否则静态的高或低
有效
ODT
RTT
： VIH或VIL
注：1。从时间点Td的，直到Tk的， NOP或DES命令必须刘健和ZQCL命令之间。
图1 ： DDR3L和DDR3之间VDD / VDDQ电压开关
数据表E1750E31 （版本3.1 ）
7
