AOD508/AOI508
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
20
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
50
0
C
RSS
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
25
8
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
C
OSS
2
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
10s
400
R
DS （ ON）
300
10s
功率（W）的
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100s
1ms
10ms
200
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
T
J（下最大）
=150°C
2
T
C
=25°C
10
100
0
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
按降序排列
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJC
=3°C/W
R
θJC
=3°C/W
40
0.1
单脉冲
单脉冲
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2012年4月
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