AOD4180
80V N沟道MOSFET
TM
SDMOS
概述
该AOD4180是用纤维制作SDMOS
TM
TRENCH
技术，结合优秀的研发
DS （ ON）
低门
电荷和低Qrr.The结果是杰出的效率
与控制的开关行为。这种通用
技术非常适用于PWM ，负载开关和
一般用途的应用。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 7V)
80V
54A
< 14mΩ
< 18MΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO252
DPAK
顶视图
D
D
G
底部视图
D
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
80
±25
54
42
160
10
8
45
100
150
75
3.1
2
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
33
0.8
最大
15
40
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
REV0 ： 2010年5月
www.aosmd.com
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