DT
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N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10直通5
V
4
V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
18
3
T
C
= 25 °C
2
12
6
3
V
0
0.0
1
T
C
= 125 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
T
C
= - 55 °C
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.060
800
传输特性
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.052
- 电容（pF ）
640
0.044
V
GS
= 4.5
V
0.036
V
GS
= 10
V
0.028
480
320
C
OSS
160
C
RSS
0
6
12
18
24
30
0.020
0
6
12
18
24
30
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 5 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 20
V
6
V
DS
= 30
V
4
V
DS
= 10
V
1.8
I
D
= 5 A
1.6
电容
V
GS
= 10
V
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.2
1.0
2
0.8
0
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
4
