AOT20S60/AOB20S60/AOTF20S60
600V 20A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT20S60& AOB20S60 & AOTF20S60已
TM
采用先进的制造
αMOS
高压
被设计为提供高层次的过程
性能和鲁棒性的开关应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
80A
0.199
20nC
4.9J
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT20S60L & AOB20S60L & AOTF20S60L
顶视图
TO-220
TO- 220F （ 3KVAC ; 1秒）
TO-263
2
D
PAK
D
S
G
AOT20S60
AOTF20S60
G
D
S
G
AOB20S60
G
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT20S60/AOB20S60
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF20S60
600
±30
20*
14*
80
3.4
23
188
AOTF20S60L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
o
20
14
20*
14*
A
A
mJ
mJ
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25℃
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
266
2.1
50
0.4
100
20
-55到150
300
37.8
0.3
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
AOT20S60/AOB20S60
65
0.5
0.47
AOTF20S60
65
--
2.5
AOTF20S60L
65
--
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
第5版： 2012年9月
www.aosmd.com
第1页7
