AOT25S65/AOB25S65/AOTF25S65
600V 20A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
25°C
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
3
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图7 ：体二极管的特性（注五）
10000
C
国际空间站
电容（pF）
1000
EOSS （ UJ ）
8
6
4
10
C
RSS
1
0
100
300
400
500
V
DS
（伏）
图9 ：电容特性
200
600
2
0
0
100
300
400
500
V
DS
（伏）
图10 ：科斯储存的能量
200
600
E
OSS
0
0
8
16
24
32
40
Q
g
（ NC ）
图8 ：栅极电荷特性
12
10
V
GS
（伏）
9
125°C
15
12
V
DS
=480V
I
D
=12.5A
6
100
C
OSS
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图11 ：最大正向偏置安全
为AOT （ B） 25S65 （注F）工作区
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
100
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.1
1
10
100
0.1s
1s
I
D
（安培）
100s
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
I
D
（安培）
10
1
0.01
1000
V
DS
（伏）
图12 ：最大正向偏置安全
对于AOTF25S65 （注F）工作区
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